정류용 반도체 소자
전기기사 필기 2008년 2회 42번
| 과목 / 챕터 | 전기기기 / 전력변환기 |
|---|---|
| 인지 유형 | memory |
| 난이도 | Level 2 |
Q문제
다음은 IGBT에 관한 설명이다. 잘못된 것은?
선택지 분석
Insulated Gate Bipolar Thyristor의 약자다.
정답 상세 해설
IGBT의 약칭은 Insulated Gate Bipolar Transistor이며, Thyristor가 아니므로 1번이 잘못된 설명입니다.
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Step 1: IGBT의 각 알파벳 의미를 분석합니다. I는 절연(Insulated), G는 게이트(Gate), B는 양극성(Bipolar), T는 트랜지스터(Transistor)를 의미합니다.
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Step 2: Thyristor는 SCR과 같은 4층 구조의 소자를 지칭하며, IGBT는 MOSFET과 BJT의 장점을 결합한 소자입니다.
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Step 3: 명칭에서 Transistor를 Thyristor로 잘못 표기한 1번이 정답입니다.
2
트랜지스터와 MOSFET를 조합한 것이다.
오답 함정 분석
IGBT는 MOSFET의 게이트 구조와 BJT의 컬렉터-이미터 구조를 결합한 복합 소자이므로 옳은 설명입니다.
3
고속 스위칭이 가능하다.
오답 함정 분석
IGBT는 MOSFET의 특성을 이어받아 전력용 소자 중 비교적 빠른 고속 스위칭이 가능하므로 옳은 설명입니다.
4
전력용 반도체 소자이다.
오답 함정 분석
IGBT는 대전력 제어 및 전력 변환 장치에 널리 사용되는 대표적인 전력용 반도체 소자이므로 옳은 설명입니다.
자주 묻는 질문
Q.
IGBT와 MOSFET의 차이점은 무엇인가요?
MOSFET은 전압 제어형으로 스위칭 속도가 매우 빠르지만 고전압에서 손실이 큽니다. IGBT는 MOSFET의 구동 용이성과 BJT의 낮은 전압 강하 특성을 결합하여 고전압 대전력 제어에 유리합니다.
Q.
IGBT는 주로 어디에 사용되나요?
인버터, 컨버터, 전기자동차의 모터 제어 등 고전압 및 대전류 스위칭이 필요한 전력 변환 장치에 주로 사용됩니다.