정류용 반도체 소자
전기기사 필기 2004년 1회 42번
| 과목 / 챕터 | 전기기기 / 전력변환기 |
|---|---|
| 인지 유형 | memory |
| 난이도 | Level 2 |
Q문제
다음은 IGBT에 관한 설명이다. 잘못된 것은?
선택지 분석
Insulated Gate Bipolar Thyristor의 약자이다.
정답 상세 해설
IGBT의 명칭은 Insulated Gate Bipolar Transistor이며, Thyristor가 아니므로 1번 설명은 잘못되었습니다.
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Step 1: IGBT의 약어를 분석합니다. I는 Insulated(절연), G는 Gate(게이트), B는 Bipolar(바이폴라), T는 Transistor(트랜지스터)를 의미합니다.
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Step 2: 선지의 내용을 확인합니다. 선지에서는 마지막 약어를 Thyristor(사이리스터)로 표기하고 있으나, 이는 명백한 오류입니다.
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Step 3: 소자의 특성을 대조합니다. IGBT는 트랜지스터의 일종으로 분류되며 사이리스터와는 동작 원리가 다릅니다.
2
트랜지스터와 MOSFET를 조합한 것이다.
오답 함정 분석
IGBT는 MOSFET의 높은 입력 임피던스와 BJT의 낮은 전압 강하 특성을 결합한 소자가 맞습니다.
3
고속 스위칭이 가능하다.
오답 함정 분석
IGBT는 전력용 소자 중 비교적 고속 스위칭이 가능하여 인버터 등에 널리 사용됩니다.
4
전력용 반도체 소자이다.
오답 함정 분석
IGBT는 고전압 및 대전류를 제어하는 대표적인 전력용 반도체 소자입니다.
자주 묻는 질문
Q.
IGBT와 MOSFET의 주요 차이점은 무엇인가요?
MOSFET은 전압 제어형 소자로 스위칭 속도가 매우 빠르지만 대전력 제어에 한계가 있는 반면, IGBT는 MOSFET의 장점과 BJT의 대전력 특성을 결합하여 고전압 대전류 제어에 유리합니다.
Q.
IGBT는 주로 어떤 장치에 사용되나요?
주로 가변속 구동 장치(인버터), 무정전 전원 장치(UPS), 전기자동차의 모터 제어기 등 전력 변환이 필요한 장치에 사용됩니다.